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變頻器IGBT模塊的工作原理和特性

IGBT模塊損壞的原因有哪些？
變頻器IGBT模塊 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。
當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一層進(jìn)行電導調制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
變頻器IGBT 模塊的工作特性的分類(lèi)：
1．靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性和 開(kāi)關(guān)特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與 柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和 區 1 、放大區 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態(tài)下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結承擔，反向電壓由 J1 結承擔。如果無(wú) N+ 緩沖區，則正反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區后，反向關(guān)斷電壓只 能達到幾十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應用范圍。
IGBT模塊 的轉移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線(xiàn)。它與 MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開(kāi)啟電 壓 Ugs(th) 時(shí)， IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內， Id 與 Ugs 呈線(xiàn)性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。
IGBT 模塊的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導通態(tài)時(shí)，由于它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過(guò) MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ）
式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ；
Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降；
Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ）
式中 Imos ——流過(guò) MOSFET 的電流。不銹鋼門(mén)
由于 N+ 區存在電導調制效應，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。
IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。
2 ．動(dòng)態(tài)特性 IGBT 模塊在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來(lái)運行的，只是在漏源電壓 Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體 管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成，如圖 2 － 58 所示
變頻器IGBT 模塊在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?MOSFET 關(guān)斷后， PNP 晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長(cháng)的尾部時(shí)間， td(off) 為關(guān)斷延遲時(shí)間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時(shí)間。實(shí)際應用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間 Tf的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間t(off)=td(off)+trv 十 t(f) （ 2 － 16 ）式中， td(off) 與 trv 之和又稱(chēng)為存儲時(shí)間。